Разница между оперативной памятью ddr3 и ddr3l: сравнительный анализ

Немного теоретической части

Прежде чем найти 1000 и 1 отличие ddr3 от ddr4, рассмотрим немного теории и подкрепим все практикой. Как мы уже говорили, впервые разработкой усовершенствованной памяти занялись еще в далеком 2005 году. На тот момент было совсем непонятно что делать и в какую сторону развиваться. Мысли были, но как реализовать все на практике оставалось загадкой.

Вначале 2000-х у многих на компьютерах была установленная обыкновенная оперативная память первого поколения. Об усовершенствовании ее не могло идти и речи. Ведь это было нерентабельным и дорогостоящим удовольствием.

Память DDR4 отличается безупречными теоретическими характеристиками. И этот аргумент выгораживает разработку в правильном свете. Так, главным ее преимуществом является быстрая работа.

Скорость передачи информации значительно увеличилась. У DDR3 она составляла не более 1866 МГц, в DDR4 этот параметр равен 2133 МГц. Естественно, это положительно сказывается на производительности устройства.

Память данного типа ориентирована на случайный доступ ко всем ее массивам. Это означает, что контроллер может обратиться к любой ячейке и заполнить ее данными. Данное действие не мгновенное, время, затраченное на процесс, измеряется в тактах.

Наиболее востребованной тактовой частотой для DDR3 выступает 1600 МГц, для новенькой DDR4 показатель составляет 2133 МГц. Мы об этом уже говорили чуть выше. Но дело в том, что это не единственная отличительная черта.

Конструкция DDR

Прежде чем определять различия между DDR3 и DDR3L следует ознакомиться с конструкцией ОЗУ типа DDR. Оперативная память собрана на форм-факторе своего предшественника DIMM. Платформу оснастили микросхемами, которые собираются в корпусах TSOP BGA и транзисторов, благодаря чему передача информации осуществлялась как по фронту, так и спаду. Осуществление двойной передачи данных за один такт стало возможным за счет реализации в компьютерной архитектуре технологии 2n Prefetch.

От характеристик оперативной памяти зависит производительность ПК

Развитие компьютерных технологий и внедрение в производство инновационных привело к тому, что микросхемы для модуля оперативного запоминающего устройства типа DDR3 стали изготавливаться только в корпусах BGA. Это же способствовало модернизации транзисторов, и появились новые модели с двойным затвором Dual-gate. Применения данной технологии позволило сократить величину токов утечки и повысить производительность ОЗУ. Так в ходе своего развития энергопотребление блока памяти снижалось: DDR — 2,6 В, DDR2 — 1,8 В и DDR3 — 1,5 В.

Снижение напряжения питания микросхем

Современные микросхемы изготавливаются по технологии КМОП. Транзисторный ключ в этой технологии состоит из двух полевых транзисторов, включенных по двухтактной схеме. В любом состоянии ключа один транзистор полностью открыт, другой — закрыт. В закрытом состоянии полевой транзистор практически не пропускает тока. То есть, в стабильном состоянии КМОП ключ не потребляет ток от источника питания. Но у затворов полевых транзисторов есть емкость. И она имеет существенную величину. При переключении ключа происходит перезаряд затворных емкостей. А конденсатор, как известно, запасает энергию в виде электрического поля. И эта энергия пропорциональна величинам емкости и напряжения.

Мощность определяет скорость изменения энергии и пропорциональна в нашем случае частоте переключения. Получается, что вся энергия источника питания расходуется на перезаряд затворных емкостей. И потребляемая мощность растет линейно с ростом тактовой частоты. Есть два пути понижения потерь мощности на перезаряд паразитных конденсаторов:

• Уменьшить их емкость.
• Уменьшить напряжение перезаряда — понизить напряжение питания.

С каждым новым шагом в совершенствовании технологического процесса изготовления интегральных микросхем линейные размеры транзисторов уменьшаются. Уменьшается и площадь паразитных конденсаторов, а соответственно и их емкость. Но и число транзисторов на кристалле тоже увеличивается.

Значит, надо добиться работы микросхем при как можно более низком напряжении питания. В результате с каждым новым поколением микросхем напряжение их питания уменьшается.

• DDR — 2, 5 В.
• DDR2 — 1, 8 В.
• DDR3 — 1, 5 В.
• DDR4 — 1, 2 В.

Разбираемся с основными значениями таймингов

Латентность (от англ. CAS Latency сокращенно CL) в обиходе “тайминг” — это временные задержки, которые возникают при обращении центрального процессора к ОЗУ. Измеряют эти задержки в тактах шины памяти.

Каждая временная задержка имеет свое название и отвечает за скорость передачи определенных данных. В технических характеристиках оперативной памяти их записывают в строгой последовательности в виде трех или четырех чисел: CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge Time и DRAM Cycle Time Tras/Trc (Active to Precharge Delay). Сокращенно это может выглядеть так: CL-RCD-RP-RAS.

Большинство производителей указывают тайминги в маркировке на модулях памяти. Это могут быть 4 цифры, например: 9-9-9-24, или только одна, например CL11. В этом случае имеется ввиду первый параметр, то есть CAS Latency.

Теперь разберемся с этими задержками более подробно.

Для наглядного примера возьмем пару планок памяти DDR3 1600 Мгц по 8 Gb каждая с таймингами 11-11-11-28.

На планке памяти данная информация хранится в чипе SPD и доступна чипсету материнки. Посмотреть эту информацию можно с помощью специальных утилит, например CPU-Z или HWINFO.

Тайминги памяти в программах CPU-Z и HWINFO

CAS Latency (tCL) — самый главный тайминг в работе памяти, который оказывает наибольшее значение на скорость ее работы. В характеристиках памяти всегда стоит первым. Указывает на промежуток времени, который проходит между подачей команды на чтение/запись информации и началом ее выполнения.

Это время можно измерить в наносекундах. Для этого лучше всего воспользоваться калькулятором. Вводим частоту в Мгц (у нас это 1600) и время задержки (11). На выходе получаем, что время задержки между подачей команды на чтение/запись данных и началом ее выполнения составляет 13.75 наносекунд.

RAS to CAS Delay (tRCD) — задержка от RAS до CAS. Время, которое должно пройти с момента обращения к строке матрицы (RAS), до момента обращения к столбцу матрицы (CAS), в которых хранятся нужные данные.

RAS Precharge Time (tRP) — интервал времени с момента закрытия доступа к одной строке матрицы и началом доступа к другой строке данных.

Row Active Time (tRAS) — пауза, которая нужна памяти, чтобы вернуться в состояние ожидания следующего запроса. Он определяет отношение интервала, в течение которого строка открыта для переноса данных (tRAS — RAS Active time), к периоду, в течение которого завершается полный цикл открытия и обновления ряда (tRC — Row Cycle time), также называемого циклом банка (Bank Cycle Time).

Command Rate — скорость поступления команды. Время с момента активации чипа памяти до момента, когда можно будет обратиться к памяти с первой командой. Часто этот параметр в маркировке памяти не указывается, но всегда есть в программах. Обычно это T1 или T2. 1 или 2 тактовых цикла.

Тип памяти и рабочее напряжение

Большинство действующих материнских плат и процессоров поддерживает память типа DDR3, имеющую трехканальную архитектуру. Планки обладают неплохой пропускной способностью, пониженным уровнем необходимого напряжения. Новое поколение модулей памяти DDR4 превосходит предшественника по основным показателям. Новинка не является взаимозаменяемой из-за несовпадения существующей перегородки слота материнской платы. То есть, вставить DDR4 в слот для DDR3 не получится.

Обилие планок оперативной памяти делится по количеству потребляемой энергии. Если вы расширяете количество ОЗУ, то проследите за совпадением напряжения питания для комплектующих. Большинство материнских плат не могут выставить разные показатели питания для отдельных компонентов системы. Низкое потребление вызовет нестабильность работы «железа», высокое приведет к выходу из строя неприспособленных комплектующих Рассмотрим зависимость оперативной памяти от напряжения питания:

• DDR2 – 1.8 В (морально устаревший образец (ОЗУ);
• DDR3 – 1.5 В (существует модификации Low, понижающее энергопотребление на 0.15 В);
• DDR4 – 1.2 В.

От потребляемой энергии зависит тепловыделение, соответственно – низкие показатели уменьшают денежные затраты на радиаторное охлаждение комплектующей.

Важно знать! Современные процессоры работают с DDR4, что объясняет большими частотными характеристиками, низким потреблением энергии.

Совместимы ли ddr3l и ddr3 и их отличие

Компьютеры становятся быстрее с каждым годом, постоянно появляются новые поколения процессоров, видеокарт, оперативной памяти. Но есть в этой стремительной эволюции и недостаток: подчас непонятно, какие комплектующие между собой совместимы, а какие — нет.

Типичный пример — это два распространенных стандарта оперативной памяти DDR3 и DDR3l. Форм-фактор у модулей памяти этих стандартов один, поэтому разница DDR3 и DDR3l на первый взгляд не заметна. Механически они полностью совместимы, одинаковы по габаритам, положению ключа и количеству контактов. Различие только в напряжении питания, которое требуется для работы — 1,5 вольта для DDR3 и 1,35 вольта для DDR3L. Вот и все различия между стандартами DDR3 и DDR3l.

Как различить и совместимость

Чтобы верно определить, к какому стандарту относится модуль, нужно знать чем отличается DDR3 от DDR3l. Разберемся в чем разница между DDR3 и DDR3l с точки зрения маркировки.

Из-за одинакового форм-фактора и расположения ключа, можно вставить модуль DDR3 в разъем на материнской плате, рассчитанной на DDR3L, или наоборот. К чему может привести подобная невнимательность?

Если модуль памяти рассчитан на напряжение в 1,5 вольта, а получает только 1,35 вольта, то, весьма вероятно, он будет вести себя нестабильно, становясь причиной регулярных зависаний и внезапных перезагрузок системы. Впрочем, вполне возможна ситуация, когда планка ОЗУ будет нормально работать. Особенно если немного повысить тайминги и снизить частоту, тогда шанс на бесперебойную работу увеличится, пусть и ценой некоторого снижения быстродействия. Но стоит ли рисковать?

Казалось бы, достаточно поднять напряжение, ведь многие материнские платы позволяют это. Да, тогда получится ситуация вполне типичная для разгона, когда для нормальной работы приходится повышать напряжение.

Стоит отметить, что процессоры intel, начиная с поколения Skylake, рассчитаны только на работу с низковольтной DDR3l памятью. По утверждению представителей компании, в долгосрочной перспективе работа процессоров 6 и более поздних поколений архитектуры Core с памятью рассчитанной на напряжение 1,5 вольт, может навредить CPU.

Получается, что заставить работать модуль DDR3 с системной платой и процессором, рассчитанными на DDR3l, во многих случаях можно. Но, в результате всех предпринятых усилий легко получить нестабильно работающий компьютер. Память DDR3 сложно считать универсальным решением для любой конфигурации, чем она также отличается от DDR3l.

Лучшим способом приобрести нужную память, это открыть свой ноутбук, достать модуль памяти и списать его характеристики или взять его в магазин. Так же можно воспользоваться ПО для просмотра аппаратной начинки компа ( типа CPU-Z ) и зайти во вкладку SPD .

Второй вариант — использование модуля, рассчитанного на низкое напряжение, в старой материнской плате, поддерживающей DDR3. Исходя из требований JESD79‐3‐1A.01, документа, в котором регламентирован стандарт DDR3L, любой модуль должен быть обратно совместим со обычным DDR3.

Выводы

В случае с DDR3 памятью и материнской платой поддерживающей низковольтную память, теоретически, можно заставить работать любую память в любой материнской плате, если немного поэкспериментировать с напряжением, частотами и таймингами. Но, лучше использовать именно ту память которая рекомендована для материнской платы и процессора. Так можно сэкономить немало времени и нервов и заниматься за компьютером тем, чем планировалось. А сборку и тестирование нестандартных конфигураций лучше оставить энтузиастам-оверклокерам. Модули DDR3l можно использовать в системных платах рассчитанных на любые типы DDR3.

Отличия планок ОЗУ

Каждый новый тип оперативки отличается от предыдущего по определенным параметрам:

• Питание – у разных типов DDR разное потребление мощности;
• Тактовая частота – частота работы у каждого поколения ОЗУ также отличается, к примеру, DDR2 разгоняется до 800 МГц, а DDR3 до 1600 МГц;
• Пропускная скорость – чем современнее тип планки, тем выше скорость ее работы;
• Контакты – их количество не одинаково на каждой из DDR.

Еще можно добавить размещение самого «ключа» на планках (небольшой выемки), на каждом типе памяти она располагается немного в другом месте, нежели на предыдущих. Впрочем, это отличие было введено специально, дабы неопытный пользователь не смог вставить ОЗУ в не поддерживаемую ее материнскую плату.

Из вышеперечисленного можно сделать вывод – DDR, DDR2, DDR3 и DDR4 невозможно заменить друг на друга.

DDR3L. Что нового?

По сути, в этой памяти все стандартно. Как в обычной «тройке». Но есть одно существенное различие — энергопотребление. В 3L оно равно 1,35 В. Для сравнения, обычная «тройка» потребляет 1,50 В. Это весьма существенно, если говорить о ноутбуках, нетбуках и ультрабуках, то есть о мобильных компьютерах. В их случае энергопотребление играет решающую роль, так как им нужно довольно продолжительное время работать от аккумулятора. Этим и отличаются DDR3 и DDR3L. Разница не такая уж заметная, но существенная.

В последнее время производители мобильных компьютеров используют только энергоэффективные модули «тройки». Поэтому стало возможно заставить ноутбуки работать от батареи дольше, чем это было раньше. Хоть показатели не особо и отличаются. Оперативная память DDR3 и DDR3L, разница в которых тут рассматривается, на данный момент самые приемлемые варианты для персональных компьютеров и ноутбуков. Теперь рассмотрим наиболее популярные модели.

Сравнение DDR 3 и DDR 4

Думаю, вы сами догадываетесь, что DDR 3 и DDR 4, представляют собой такие стандарты оперативной памяти, которые, к огромному сожалению, не могут быть взаимозаменяемыми, ну или совместимыми. Кроме этого, отличаются они скоростью осуществления собственной работы, а также некоторыми показателями частоты. Так, в том случае, если максимальная частота обыкновенной DDR 2, составляет всего 800 МГц, то в случае с DDR 3, этот показатель увеличивается к 1600 МГц.

Не рекомендуется ставить DDR 2 и DDR 3 на одну и ту же материнскую плату, поскольку они являются совершенно несовместимыми. Отличаются два этих стандарта памяти также и тем, что DDR3 расходует гораздо меньше электроэнергии, а также гораздо быстрее охлаждается. Кстати говоря, в настоящий момент времени, в продаже находятся так называемые гибридные материнские платы, главной особенностью которых, является то, что у них имеются разъемы сразу-же под обе разновидности ОЗУ. Однако, следовало бы учесть то, что пользоваться ими можно только отдельно друг от друга.

Подбираем оптимальный объем оперативки

Какой размер оперативной памяти выбрать и какая лучше подходит вашему ноутбуку? Здесь все зависит от возложенных на ноутбук задач и установленного в устройстве процессора. Рассмотрим пару примеров.

Первый пример

Вы используете какой-нибудь скромный и недорогой процессор от компании Intel ⇓

• Atom;
• Celeron;
• Pentium.

Либо от компании AMD ⇓

• E1;
• E2;
• A4;
• A6.

При этом ваш ноутбук не выполняет каких-то тяжелых задач, вы просто смотрите фильмы, слушаете музыку, сидите в соцсетях и работаете в офисных программах. В таком случае для ноутбука рекомендуется иметь общий объем оперативной памяти от 4 до 8Гб. Если у вас стоит в ноуте 4Gb, то стоит докупить еще столько же. Если стоит 2Гб, то стоит подумать о покупке одного 4 или 8 Гигового модуля.

К тому же, устанавливать большие объемы ОЗУ к описанным выше процессорам не целесообразно, так как они слишком слабы. У них просто не хватит мощности, чтобы использовать все преимущества больших объемов памяти.

Второй пример

На вашем ноутбуке — процессор средней мощности от Intel ⇓

• Core i3;
• Core i5.

Либо от компании AMD ⇓

• A8;
• A9;
• A10;
• A12.

На этих процессорах с нормальной видеокартой, уже можно играть в современные 3D игры. Так же комфортно работать в фотошопе с фотографиями или редактировать видеоролики. В таком случае лучшим вариантом для вашего ноутбука будет покупка ОЗУ от 8 ГБ до 16 Гб.

Такой объем позволит держать открытыми в веб-браузере большое количество вкладок с другим одновременно запущенным ПО и не беспокоиться о производительности.

Если же вы являетесь счастливым обладателем таких мощных процессоров, как AMD Ryzen 7 или Intel Core i7 и при этом работаете в тяжелых программах, играете в современные игры, то купите для своего ноутбука 16 Гб оперативной памяти.

В то же время, если вы ничем таким свой дорогой процессор не загружаете, то достаточно будет и 8Гб ОЗУ.

Определение параметров

Перед тем как поставить новую «оперативку» пользователь должен знать:

• Какой тип ОЗУ используется компьютером (DDR4, DDR3 или более ранние версии).
• Есть ли место для установки новых микросхем (у большинства «материнок» их 2 или 4, но иногда встречается и большее количество).
• Какую скорость работы поддерживают ЦПУ и материнская плата (частота оперативной памяти и процессора не совпадают, но должны соответствовать друг другу).
• Какие параметры имеет установленная «оперативка».

Ответить на вопросы поможет бесплатная утилита CPU‑Z. Ещё больше информации позволяют получить платные программы типа AIDA64. При наличии места и всех необходимых сведений переходят к подбору подходящего варианта.

Система охлаждения

Наличие радиатора – оправданная роскошь для планок с большой тактовой частотой. Как говорилось выше, величина пропускной способности влияет на уровень потребления энергии, а та – на характеристику тепловыделения. Планки DDR3, с повышенной пропускающей способностью, оснащаются алюминиевыми радиаторами, так как конструктивные особенности способствуют быстрому нагреванию. DDR4, значительно превосходящие предшественника по тактовой частоте, не требует обязательной установки системы охлаждения – носят декоративный характер. Однако дополнительные элементы создают неудобство в обращении, также радиатор сложно чистить от накапливающейся пыли.

В чем разница между памятью DDR3L и DDR3 — [Подробное объяснение]

Узнайте, в чем разница между памятью DDR3L и DDR3 и что лучше выбрать для вашего ПК.

От характеристик оперативной памяти ПК напрямую зависит скорость загрузки программ, а также стабильная работа операционной системы. Сегодня основная масса всех компьютеров работает с типом оперативной памяти DDR. Её особенностью является возможность передавать за один такт в два раза больше информации (по сравнению со стандартным DDR2).

• Особенности памяти DDR3
• Особенности DDR3L
• Как отличить DDR3 от DDR3L
• Совместимость DDR3 и DDR3L
• Итог

На рынке представлено множество типов ОЗУ с современной архитектурой. Самые популярные – это DDR3 и DDR3L. Рассмотрим, в чем отличия и особенности каждого из них.

Особенности памяти DDR3

DDR3 – это синхронная память динамического типа. По сравнению со вторым поколением ОЗУ, этот модуль увеличивает предподкачку информации с 4 бит до 8 бит, что является важным показателем.

Схема ОЗУ третьего поколения

Модули DDR3 имеют от 1 ГБ до 16 ГБ памяти. Тактовая частота находится в диапазоне от 100 до 300 МГц.

Особенности DDR3L

DDR3L – это усовершенствованный модуль DDR3. Такие ОЗУ имеют аналогичную архитектуру.

Усовершенствованный модуль третьего поколения

В 2012 году на рынке появился модуль DDR3L-RS, который используется в смартфонах и планшетных ПК.

Как отличить DDR3 от DDR3L

Главным отличием памяти DDR3 от DDR3L является напряжение. У модуля DDR3 этот параметр равен 1.5V, а у DDR3L – 1.35V. Как следствие, ОЗУ 3L потребляет меньше энергии.

Существует несколько способов различить два модуля памяти:

Проверьте маркировку. Она отличается по серийному модулю. На схеме ОЗУ 3L указывается код PC3L;

Отличия в маркировке

Габариты модулей. У DDR3L высота варьируется в пределах от 28 мм до 32 мм, в то время как у DDR3 этот показатель не меняется и составляет 30.8 мм.

Отличаются два модуля и выемками. Если ваш чипсет не поддерживает тот или иной тип памяти, вы не сможете его подключить.

Совместимость DDR3 и DDR3L

Если вы выбираете хорошую оперативную память для своего ПК или ноутбука, можете смело останавливаться на DDR3L. Дело в том, что модуль с напряжением 1.35V подходит для всех персональных компьютеров и лэптопов, которые поддерживают стандарт ОЗУ DDR3. Никаких проблем с совместимостью не возникнет.

Большинство современных компьютеров имеют два слота для оперативной памяти. Это означает, что вы можете добавить еще один модуль к уже имеющемуся стандартному ОЗУ. Здесь тоже следует помнить, что DDR3L обратно совместима с DDR3, но не наоборот.

ОЗУ DDR3L является модернизированной версией DDR3. Сокращение таймингов, уменьшенное энергопотребление и универсальность – главные отличия DDR3L от своего предшественника.

Если вы выбираете оперативную память для своего компьютера, советуем сначала выяснить модель его чипсета. Далее, зная модель, через сайт её производителя можно узнать, с какими из типов ОЗУ она совместима. Также с помощью программы AIDA можно без разборки компьютера узнать его аппаратные характеристики, модели и серийные номера всех его компонентов.

Можно ли ставить память с разной частотой и таймингами

Ответ на этот вопрос для памяти DDR4 и DDR3 — практически всегда да. Память будет работать. Но будет делать это на частотах и таймингах менее производительной планки памяти. Проблем с двухканальным режимом обычно также не возникает (при условии одинакового объема памяти каждого модуля).

Если по какой-то причине частота и тайминги менее производительного модуля RAM не поддерживаются более быстрой планкой, то БИОС выставит те параметры (ещё ниже), которые будут безопасны и поддерживаются обоими модулями: таковая найдется, так как все они в любом случае могут работать с базовыми параметрами для своего типа памяти.

История

В феврале 2005 года представила первый прототип микросхемы памяти DDR3. Samsung сыграла важную роль в разработке и стандартизации DDR3. В мае 2005 года Дези Роден, председатель комитета JEDEC , заявил, что DDR3 разрабатывалась «около 3 лет».

DDR3 был официально запущен в 2007 году, но не ожидалось, что продажи превысят объем продаж DDR2 до конца 2009 года или, возможно, в начале 2010 года, по словам стратега Intel Карлоса Вайссенберга, выступавшего в начале их развертывания в августе 2008 года (то же самое). временные рамки для проникновения на рынке были заявлены на рынке разведке компании DRAMeXchange более год назад в апреле 2007 года и Дези Иннерродны в 2005 году) является основной движущей силой возросшего использования DDR3 были новый Core i7 процессоров от Intel и Phenom II процессоров от AMD, оба из которых имеют контроллеры внутренней памяти: первый требует DDR3, второй рекомендует. В январе 2009 года IDC заявила, что продажи DDR3 составят 29% от общего числа проданных модулей DRAM в 2009 году, а к 2011 году вырастут до 72%.

Преемник

{{Main | DDR9 SDFAM}

В сентябре 2012 года JEDEC выпустила окончательную спецификацию DDR4. Основные преимущества DDR4 по сравнению с DDR3 включают более высокий стандартизованный диапазон тактовых частот и скоростей передачи данных, а также значительно более низкое напряжение .

Лучшие производители оперативки

Производителей оперативной памяти для ноутбуков довольно много, и выбрать дополнительную оперативную память для ноутбука среди их разнообразия не так просто, но мы с этим разберемся.

Для начала необходимо сразу отметить, что главный компонент любой оперативной памяти — это чипы памяти, которые хранят информацию. От ее качества и зависит надежность и скорость работы ОЗУ.

Производителей можно разделить на две категории ⇓

1. Компании-производители микросхем оперативной памяти, которые выпускают и полноценные модули ОЗУ на базе своих чипов.
2. Компании, которые не выпускают чипы самостоятельно, а закупают уже готовые у первой категории производителей.

На сегодняшний день самостоятельно выпускают чипы следующие известные компании ⇒

• Hynix (Hyundai);
• NEC;
• Toshiba;
• Samsung;
• Micron.

При этом, Samsung и Hynix выпускают под своим брендом также модули ОЗУ.

До недавнего времени очень качественными считались модули памяти Samsung Original. Они были без радиаторов и стоили вменяемых денег, но последнее время я их не вижу в продаже.

Компании, которые закупают уже готовые чипы оперативной памяти и на их основе выпускают свои планки ⇓

• A-Data;
• Kingston (HyperX);
• Patriot;
• AMD Radeon;
• Corsair;
• Silicon Power;
• Transcend.

Таким образом, если вы купили модуль ОЗУ компании Silicon Power, но внезапно обнаружили на нем чипы памяти с надписью Micron, не пугайтесь. Это нормально.

Компании из второго списка — это лишь сборщики. Многие из них не производят даже печатные платы для модулей ОЗУ.

Как правильно выставить

Начать, разумеется, стоит с выяснения стандартных настроек, рекомендованных производителем для данного модуля. Как проверить тайминги оперативной памяти, мы рассмотрели ранее. Затем можно посмотреть статистику на интернет ресурсах посвященных разгону, чтобы примерно представлять, чего можно ожидать от конкретного модуля оперативной памяти.

Как отмечалось, неверные значения задержек легко могут привести к невозможности загрузки компьютера, поэтому выясните, как именно осуществляется сброс настроек BIOS. Причем, не только программно, но и аппаратно, на случай, если не будет возможности даже войти в БИОС. Информацию об этом можно найти в документации к материнской плате или в интернете.

Чтобы разобраться, как выставить тайминги оперативной памяти в биосе, обычно не требуется много времени. В первый раз может потребоваться документация, потом все будет проще.

Далее стоит провести тестирование, как система поведет себя под нагрузкой. Для этого можно воспользоваться специализированными программами или просто хорошо нагрузить компьютер, например, запустит на час игру с высокими настройками графики или кодирование видеофайла высокого разрешения. Если компьютер работает стабильно, можно понизить тайминги еще на один такт. Если происходят зависания, появляются сообщения о системных ошибках или программы аварийно завершаются, то нужно отменить изменения и вернуться на такт назад.

Разобравшись, как уменьшить правильно тайминги оперативной памяти ddr3 и более современной ddr4 не стоит сразу приступать к экспериментам. Сначала стоит определить, исходя из особенностей вашего «железа», что предпочтительней: повысить частоты или понизить задержки. Сейчас в большинстве случаев большего эффекта можно достичь за счет повышения тактовых частот.

Можно ли ставить на компьютер разные планки ОЗУ

При апгрейде оборудования важно не упускать из виду вопрос совместимости компонентов. Поскольку планируется увеличение производительности компьютера, под этим, в том числе подразумевается обеспечение корректного функционирования всех элементов в связке, ведь аппаратной составляющей, в частности несовместимостью по определённым параметрам, вызваны многие проблемы в работе устройства

Так, сталкиваясь с необходимостью расширения ОЗУ, пользователи часто задаются вопросом, будет ли совместима новая планка с той, что уже установлена и функционирует на текущий момент, что будет, если поставить разную оперативную память и должны ли в точности совпадать все параметры

Брать во внимание DDR и DDR2 не станем, времена ранних поколений ОЗУ прошли и те проблемы, которые возникали впоследствии установки больше одной плашки тоже уже в прошлом. Информация в данном материале будет касаться актуальных сегодня типов DDR3 и DDR4

Очевидно, что нельзя просто купить дополнительный модуль и просто вставить его в свободный слот без учёта необходимых параметров при выборе памяти, как и поставить DDR3 вместо DDR4 или наоборот. В идеале при расширении ОЗУ нужно добавлять аналогичную по всем характеристикам планку памяти, тогда не придётся переживать о некорректной работе девайса, но такая возможность существует не всегда. Как известно, конфликт оборудования провоцирует проблемы если не сразу, то уже по ходу использования компьютера, поэтому соблюдение ряда условий при замене или добавлении RAM является залогом успешного апгрейда. Рассмотрим, можно ли ставить разные планки оперативной памяти, отличающиеся частотой, объёмом, таймингами, напряжением или производителем на один компьютер, а также что обязательно следует учитывать при составлении комбинаций во избежание неуживчивости элементов друг с другом.

Конструкция DDR

Прежде чем определять различия между DDR3 и DDR3L следует ознакомиться с конструкцией ОЗУ типа DDR. Оперативная память собрана на форм-факторе своего предшественника DIMM. Платформу оснастили микросхемами, которые собираются в корпусах TSOP BGA и транзисторов, благодаря чему передача информации осуществлялась как по фронту, так и спаду. Осуществление двойной передачи данных за один такт стало возможным за счет реализации в компьютерной архитектуре технологии 2n Prefetch.

От характеристик оперативной памяти зависит производительность ПК

Развитие компьютерных технологий и внедрение в производство инновационных привело к тому, что микросхемы для модуля оперативного запоминающего устройства типа DDR3 стали изготавливаться только в корпусах BGA. Это же способствовало модернизации транзисторов, и появились новые модели с двойным затвором Dual-gate. Применения данной технологии позволило сократить величину токов утечки и повысить производительность ОЗУ. Так в ходе своего развития энергопотребление блока памяти снижалось: DDR – 2,6 В, DDR2 – 1,8 В и DDR3 – 1,5 В.

Samsung 4GB DDR3 PC3-12800

Еще один модуль из самого среднего ценового сегмента. Эта оперативная память работает уже на частоте 1600 мегагерц и может даже использоваться для игр. Особенно производителен тандем из двух модулей такой памяти. Имеются «планки» DDR3 и DDR3L, разница между которыми-таки есть. Как и вся техника этой компании, модули памяти отличаются высочайшим качеством и непревзойденной надежностью. В настоящее время — это одни из лучших модулей на современном рынке компьютерных комплектующих.

Компания Samsung хорошо известна качественными смартфонами и другими устройствами. Но вот модули оперативной памяти ее специалисты могли бы сделать и получше. В них нет и тени легендарного корейского качества. Но работает память хорошо. Хоть и не выглядит особо крепкой или надежной. Кстати, она очень болезненно переносит разгон. Вплоть до самых печальных последствий. Так что подвергать ее подобной процедуре не стоит. Итак, продолжим. DDR3L и DDR3. Какая разница между ними?